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大容量64Mb的低功耗SRAM

信息来源 : 网络发布时间:2014-02-15 10:08|1387次浏览

技术创新的射频解决方案领导厂商triquint半导体公司,推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓 (gan) hemt 射频功率晶体管产品。triquint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半,同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6 ghz宽广的工作频率上提供30-37w (cw) 射频输出功率。它们是商业通信和测试设备系统等类似的宽带系统应用的理想选择。

triquint新的氮化镓功率晶体管包括28vt1g6003028-fs,其工作频率为直流至6 ghz,提供30w的输出功率,在3.5 ghz6 ghz频率时的效率分别为55%44%t1g6003028-fl提供相同的性能,并且采用法兰封装来满足不同封装的要求。triquint新的32vt1g4003532-fs和法兰封装的t1g4003532-fl是用于s波段及类似应用的理想选择。它们在直流至3.5 ghz工作频率下提供37w (cw) 输出功率。上述两种32v器件均在3.5 ghz6 ghz分别提供大于16db10db的增益;其附加功率效率(pae) 5ghz6ghz分别为60%49.6%

  • 最大容量64Mb的低功耗SRAM


    新型64 Mb低功耗SRAM的每款产品都是在一个封装中集成了两个小型32 Mb先进LPSRAM芯片的堆栈,实现了最高的容量。这些器件可以满足高性能系统的大容量低功耗SRAM需求,同时满足以前需要多个低功耗SRAM器件才能实现的应用对减小空间的要求。



  • 广泛的封装阵容可满足各种需求


    为了满足各种应用需求,这两个新系列采用了几种不同的封装:TSOP I(48引脚)、μTSOP(52引脚),而64 Mb产品还有FBGA(48焊球)封装。TSOP I和μTSOP封装与以前的16 Mb产品尺寸相同,而FBGA封装的焊球布局则为信号引脚兼容。这将有助于客户在继续使用其现有布局设计时增加存储容量。



  • 具备无软错误和无锁定的高可靠性


    先进LPSRAM采用一种堆叠电容器存储单元结构,这是DRAM元件中证明成功的一种方法。它实际上可以消除alpha辐射或高能量中子辐射所引起的软错误,这可能是超精细SRAM存在的一个问题。此外,这种存储单元结构还可以避免寄生可控硅(parasitic thyristor)的问题,它可能产生寄生电流流动并导致锁定。消除软错误和锁定可以实现卓越的可靠性。


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